Basics of VLSI Design Pro


1 by Engineering Apps
2018年12月04日

關於Basics of VLSI Design Pro

完整的VLSI手冊,帶圖表和圖形

該應用程序是VLSI的完整手冊,帶有圖表和圖形。它是電子和通信工程教育的一部分,它帶來了關於這一主題的重要主題,筆記,新聞和博客。下載該應用程序作為該電子和通信工程主題的快速參考指南和電子書。

該應用程序詳細介紹了超過90個VLSI設計主題。這些主題分為5個單元。

您可以非常輕鬆地通過考試或面試並取得成功,該應用程序提供快速修訂和參考主題,如詳細的閃存卡。

每個主題都包含圖表,方程式和其他形式的圖形表示,以便於理解。本申請中涵蓋的一些主題是:

1.半導體存儲器:介紹和類型

2.只讀存儲器(ROM)

3.三晶體管DRAM單元

4.一個晶體管DRAM單元

5.閃存

6.低功耗CMOS邏輯電路:簡介

7. CMOS逆變器的設計

8. MOS逆變器:介紹開關特性

9.基於掃描的技術

10.內置自測(BIST)技術

11. VLSI設計的歷史前景:摩爾定律

12. CMOS數字電路類型的分類

13.電路設計實例

14. VLSI設計方法

15. VLSI設計流程

16.設計層次結構

17.規律性,模塊性和地方性的概念

18. CMOS製造

19.製造工藝流程:基本步驟

20.製造nMOS晶體管

21. CMOS製造:p阱工藝

22.CMOS製造:n阱工藝

23. CMOS製造:雙浴缸工藝

24.簡圖和掩模佈局設計

25. MOS晶體管:物理結構

26.外部偏見下的MOS系統

27. MOSFET的結構和操作

28.閾值電壓

29. MOSFET的電流電壓特性

30. Mosfet縮放

31.縮放的影響

32.小幾何效果

33. MOS容量

34. MOS逆變器

35. MOS逆變器的電壓傳輸特性(VTC)

36.具有n型MOSFET負載的逆變器

37.電阻負載逆變器

38.耗盡負載逆變器的設計

39. CMOS逆變器

40.延遲時間定義

41.延遲時間的計算

42.具有延遲約束的逆變器設計:示例

43.組合MOS邏輯電路:介紹

44.具有耗盡nMOS負載的MOS邏輯電路:雙輸入NOR門

45.具有耗盡nMOS負載的MOS邏輯電路:具有多個輸入的通用NOR結構

46.具有耗盡nMOS負載的MOS邏輯電路:NOR門的瞬態分析

47.具有耗盡nMOS負載的MOS邏輯電路:雙輸入與非門

48.具有耗盡nMOS負載的MOS邏輯電路:具有多個輸入的通用NAND結構

49.具有耗盡nMOS負載的MOS邏輯電路:與非門的瞬態分析

50. CMOS邏輯電路:NOR2(雙輸入NOR)門

51. CMOS NAND2(雙輸入NAND)門

52.簡單CMOS邏輯門的佈局

53.複雜邏輯電路

54.複雜的CMOS邏輯門

55.複雜CMOS邏輯門的佈局

56. AOI和OAI蓋茨

57.偽nMOS門

58. CMOS全加器電路和進位紋波加法器

59. CMOS傳輸門(傳輸門)

60.互補傳輸晶體管邏輯(CPL)

61.順序MOS邏輯電路:簡介

62.雙穩態元素的行為

63. SR鎖存電路

64.時鐘SR鎖存器

65. Clocked JK Latch

66. Master-Slave Flip-Flop

67. CMOS D鎖存器和邊沿觸發器觸發器

68.動態邏輯電路:簡介

69.傳輸晶體管電路的基本原理

由於Play商店設置的字符限制,未列出所有主題。

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