Basics of VLSI Design Pro


1 by Engineering Apps
2018年12月04日

Basics of VLSI Design Proについて

図とグラフを備えたVLSIの完全ハンドブック

このアプリは、図とグラフを備えたVLSIの完全なハンドブックです。それは、重要なトピック、ノート、ニュース&ブログを対象とするエレクトロニクス&コミュニケーション工学教育の一環です。このエレクトロニクス&通信工学のテーマのクイックリファレンスガイド&電子ブックとしてアプリケーションをダウンロードしてください。

このアプリケーションは、VLSIデザインの90以上のトピックを詳細にカバーしています。これらのトピックは5単位に分かれています。

あなたは非常に簡単にあなたの試験やインタビューで成功し、成功することができます、アプリは迅速なリビジョンと詳細なフラッシュカードのようなトピックへの参照を提供しています。

各トピックには、理解しやすくするためのダイアグラム、方程式、および他の形式のグラフィカル表現があります。このアプリケーションに含まれるトピックの一部は次のとおりです。

1.半導体メモリ:はじめにとタイプ

2.読み出し専用メモリ(ROM)

3. 3トランジスタDRAMセル

4. 1つのトランジスタDRAMセル

5.フラッシュメモリ

6.低消費電力CMOS論理回路:はじめに

7. CMOSインバータの設計

MOSインバータ:スイッチング特性の紹介

9.スキャンベースのテクニック

10.ビルトインセルフテスト(BIST)テクニック

11. VLSI設計の歴史的展望:ムーアの法則

12. CMOSデジタル回路の分類

13.回路設計の例

14. VLSI設計手法

15. VLSI設計フロー

16.デザイン階層

17.規則性、モジュール性、地域性の概念

CMOS製造

19.製造プロセスフロー:基本ステップ

nMOSトランジスタの作製

21.CMOS製造:p-ウェルプロセス

22. CMOS製造:nウェルプロセス

23. CMOS製作:ツイン・タブ・プロセス

24.スティック図とマスクレイアウト設計

25. MOSトランジスタ:物理的構造

26.外部バイアス下のMOSシステム

MOSFETの構造と動作

閾値電圧

29. MOSFETの電流特性

30. MOSFETのスケーリング

31.スケーリングの効果

32.小さなジオメトリエフェクト

33. MOS容量

34.MOSインバータ

35. MOSインバータの電圧伝達特性(VTC)

36. n型MOSFET負荷のインバータ

37.抵抗負荷インバータ

38.枯渇負荷インバータの設計

39. CMOSインバータ

40.遅延時間の定義

41.遅延時間の計算

42.遅延制約付きインバータ設計:例

43.組合せMOS論理回路:導入

44.枯渇nMOS負荷を有するMOS論理回路:2入力NORゲート

45.枯渇nMOS負荷を有するMOS論理回路:複数の入力を有する一般化されたNOR構造

46.空乏nMOS負荷を有するMOS論理回路:NORゲートの過渡解析

47.デプレッションnMOS負荷を有するMOS論理回路:2入力NANDゲート

48.空乏nMOS負荷を有するMOS論理回路:複数の入力を有する一般化されたNAND構造

49.枯渇nMOS負荷を有するMOS論理回路:NANDゲートの過渡解析

CMOSロジック回路:NOR2(2入力NOR)ゲート

51. CMOS NAND2(2入力NAND)ゲート

52.単純CMOSロジックゲートのレイアウト

53.複雑な論理回路

54.複雑なCMOSロジックゲート

55.複雑なCMOSロジックゲートのレイアウト

56. AOIとOAIゲート

57.疑似nMOSゲート

58. CMOS全加算回路およびキャリーリップル加算器

59. CMOS伝送ゲート(パスゲート)

60. CPL(Complementary Pass-Transistor Logic)

61.逐次MOS論理回路:はじめに

62.双安定要素の挙動

63. SRラッチ回路

64.クロックSRラッチ

65.クロックJKラッチ

66.マスター・スレーブ・フリップ・フロップ

67. CMOS Dラッチおよびエッジトリガフリップフロップ

68.ダイナミック論理回路:はじめに

69.パストランジスタ回路の基本原理

Playストアで設定された文字制限のため、すべてのトピックが一覧表示されません。

アプリの追加情報

最終のバージョン

1

Android 要件

4.0

Available on

カテゴリー

教育 アプリ

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