最好的電子設備基礎應用程序，在一分鐘內學習一個主題
該應用程序是電子設備基礎手冊，涵蓋重要主題，筆記，材料和新聞。它是電子，電氣和計算機科學工程課程的一部分。
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應用程序中涵蓋的一些主題包括：
1.瞬態和a-c條件：存儲電荷的時間變化
2.光電二極管
3. P-N-P-N二極管
4.半導體控制整流器
5.發光二極管
6.隧道二極管
7. TRIAC
8. DIAC
9.絕緣柵雙極晶體管
10. GUNN二極管 - 基本原理
11. GUNN二極管 - 轉移電子機制
12. PNPN二極管 - 正向阻斷和導通模式
13.太陽能電池工作原理
14.太陽能電池-I-V特徵
15.整流器
16.擊穿二極管
17.光電探測器
18.光電二極管方程
19. PIN PHOTODIODE
20.雪崩光電二極管
21.發光材料
22. IMPATT二極管
23. IMPATT二極管操作
24.半導體激光器
25.半導體激光器 - 正向偏向
26.異質結激光器操作
27.金屬半導體場效應晶體管（MESFET）
28. MESFET-高電子遷移率晶體管（HEMT）
29.金屬絕緣體半導體FET（MISFET）
30. MISFET在不同的運行條件下
31.理想的MOS電容器
32. MOSFET：實際表面的影響
33. MOSFET：接口電荷
34. MOSFET：閾值電壓
35. MOS電容電壓分析
36. MOSFET：與時間有關的電容測量
37. MOS柵氧化層的電流 - 電壓特性
38. MOSFET
39. MOSFET：輸出特性
40. MOSFET的電導和跨導
41. MOSFET：傳輸特性
42. MOSFET：移動模型
43. MOSFET：有效橫向場
44.短溝道MOSFET l-V特性
45. MOSFET：控制閾值電壓
46. MOSFET：通過離子注入調節閾值
47. MOSFET：襯底偏置效應
48. MOSFET：亞閾值特性
49. MOSFET的等效電路
50. MOSFET縮放和短溝道效應
51. MOSFET：熱載流子效應
52. MOSFET：漏極引起的勢壘降低
53. MOSFET的短溝道效應和窄寬度效應
54.柵極引起MOSFET漏極洩漏
55. BJT運營的基本原則
56. BJT：晶體管中空穴和電子流動的總結
57. BJT操作的基本原則：PN結
58.與BJTS的放大
59.平衡條件：接觸電位
60.均衡費米水平
61.交界處的空間費用
62.光學吸收
63.光學吸收實驗
64. LUMINESCENCE
65.光致發光
電子設備或微電子器件和電路是各大學的電子，電氣和計算機科學工程教育課程和技術學位課程的一部分。