最好的电子设备基础应用程序，在一分钟内学习一个主题
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应用程序中涵盖的一些主题包括：
1.瞬态和a-c条件：存储电荷的时间变化
2.光电二极管
3. P-N-P-N二极管
4.半导体控制整流器
5.发光二极管
6.隧道二极管
7. TRIAC
8. DIAC
9.绝缘栅双极晶体管
10. GUNN二极管 - 基本原理
11. GUNN二极管 - 转移电子机制
12. PNPN二极管 - 正向阻断和导通模式
13.太阳能电池工作原理
14.太阳能电池-I-V特征
15.整流器
16.击穿二极管
17.光电探测器
18.光电二极管方程
19. PIN PHOTODIODE
20.雪崩光电二极管
21.发光材料
22. IMPATT二极管
23. IMPATT二极管操作
24.半导体激光器
25.半导体激光器 - 正向偏向
26.异质结激光器操作
27.金属半导体场效应晶体管（MESFET）
28. MESFET-高电子迁移率晶体管（HEMT）
29.金属绝缘体半导体FET（MISFET）
30. MISFET在不同的运行条件下
31.理想的MOS电容器
32. MOSFET：实际表面的影响
33. MOSFET：接口电荷
34. MOSFET：阈值电压
35. MOS电容电压分析
36. MOSFET：与时间有关的电容测量
37. MOS栅氧化层的电流 - 电压特性
38. MOSFET
39. MOSFET：输出特性
40. MOSFET的电导和跨导
41. MOSFET：传输特性
42. MOSFET：移动模型
43. MOSFET：有效横向场
44.短沟道MOSFET l-V特性
45. MOSFET：控制阈值电压
46. MOSFET：通过离子注入调节阈值
47. MOSFET：衬底偏置效应
48. MOSFET：亚阈值特性
49. MOSFET的等效电路
50. MOSFET缩放和短沟道效应
51. MOSFET：热载流子效应
52. MOSFET：漏极引起的势垒降低
53. MOSFET的短沟道效应和窄宽度效应
54.栅极引起MOSFET漏极泄漏
55. BJT运营的基本原则
56. BJT：晶体管中空穴和电子流动的总结
57. BJT操作的基本原则：PN结
58.与BJTS的放大
59.平衡条件：接触电位
60.均衡费米水平
61.交界处的空间费用
62.光学吸收
63.光学吸收实验
64. LUMINESCENCE
65.光致发光
电子设备或微电子器件和电路是各大学的电子，电气和计算机科学工程教育课程和技术学位课程的一部分。