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Algunos de los temas cubiertos en la aplicación son:
1. Condiciones transitorias y a-c: variación temporal de la carga almacenada
2. Fotodiodo
3. Diodo P-N-P-N
4. Rectificador controlado de semiconductor
5. Diodo emisor de luz
6. Diodo de túnel
7. TRIAC
8. DIAC
9. Transistor bipolar de puerta aislada
10. Diodo GUNN- Principio básico
11. Diodo GUNN-El Mecanismo Electrónico Transferido
12. Diodo PNPN: modo de bloqueo y conducción hacia adelante
13. Principio de funcionamiento de la célula solar
14. Caracteres de celdas solares I-V
15. rectificadores
16. El diodo de descomposición
17. Fotodetectores.
18. Ecuaciones de fotodiodos.
19. PIN FOTODIODO
20. Fotodiodo de avalancha
21. Materiales emisores de luz
22. diodo IMPATT
23. Operación de diodo IMPATT
24. Láseres semiconductores.
25. Láseres de semiconductores - Bajo sesgo delantero
26. Operación de láseres de heterojunción
27. Transistores de efecto de campo de semiconductores metálicos (MESFET)
28. MESFET- El transistor de movilidad de alto electrón (HEMT)
29. El Aislador de Metal Semiconductor FET (MISFET)
30. MISFET bajo diferentes condiciones de operación
31. El condensador ideal de MOS
32. MOSFET: Efectos de superficies reales.
33. MOSFET: Carga de interfaz
34. MOSFET: Voltaje de umbral
35. Análisis de voltaje de capacitancia MOS
36. MOSFET: Mediciones de capacitancia dependientes del tiempo
37. Características de voltaje actual de los óxidos de puerta MOS
38. El MOSFET
39. MOSFET: Características de salida
40. Conductancia y Transconductancia del MOSFET.
41. MOSFET: Características de transferencia
42. MOSFET: Modelos de movilidad.
43. MOSFET: campo transversal efectivo.
44. Características del canal corto MOSFET l-V
45. MOSFET: Control de Voltaje Umbral
46. MOSFET: Ajuste de umbral por implantación de iones
47. MOSFET: Efectos del sesgo del sustrato
48. MOSFET: sub umbral caracteristicas
49. Circuito equivalente para el MOSFET
50. MOSFET Scaling y efecto de canal corto.
51. MOSFET: efectos portadores calientes.
52. MOSFET: Disminución de la barrera inducida por drenaje
53. Efecto de canal corto y efecto de ancho estrecho de MOSFET
54. Fuga de drenaje inducida por puerta en MOSFET
55. FUNDAMENTOS DE LA OPERACIÓN BJT.
56. BJT: resumen de flujo de huecos y electrones en un transistor
57. FUNDAMENTOS DE LA OPERACIÓN BJT: unión PN
58. AMPLIFICACION CON BJTS
59. CONDICIONES DE EQUILIBRIO: El potencial de contacto
60. Equilibrio Fermi Niveles
61. Carga espacial en un cruce
62. ABSORCION OPTICA
63. EXPERIMENTO DE ABSORCIÓN ÓPTICA
64. LUMINISCENCIA
65. Fotoluminiscencia
Dispositivos electrónicos o Dispositivos y circuitos microelectrónicos forma parte de los cursos de educación en ingeniería electrónica, eléctrica e informática y programas de licenciatura en tecnología de varias universidades.