Basics of Electronic Devices P

最好的電子設備基礎應用程序，在一分鐘內學習一個主題

該應用程序是電子設備基礎手冊，涵蓋重要主題，筆記，材料和新聞。它是電子，電氣和計算機科學工程課程的一部分。

這個有用的應用程序在5章中列出了140個主題，包括圖表，方程式和其他形式的圖形表示，以便更好地學習和快速理解。在考試或面試之前，它可以快速涵蓋課程大綱。

該應用程序必須為所有工程科學專業的學生和專業人士。

同時獲得由Google新聞提供支持的最熱門的國際工程和技術新聞，針對計算機輔助製造領域的大學和行業的研究，技術和創新進行定制。

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使用該應用程序作為您的教育工具，實用程序，教程，課程大綱和學習課程材料，能力測試和項目工作。

跟踪您的學習，設置提醒，編輯，添加喜愛的主題，在社交媒體上分享主題。

應用程序中涵蓋的一些主題包括：

1.瞬態和a-c條件：存儲電荷的時間變化

2.光電二極管

3. P-N-P-N二極管

4.半導體控制整流器

5.發光二極管

6.隧道二極管

7. TRIAC

8. DIAC

9.絕緣柵雙極晶體管

10. GUNN二極管 - 基本原理

11. GUNN二極管 - 轉移電子機制

12. PNPN二極管 - 正向阻斷和導通模式

13.太陽能電池工作原理

14.太陽能電池-I-V特徵

15.整流器

16.擊穿二極管

17.光電探測器

18.光電二極管方程

19. PIN PHOTODIODE

20.雪崩光電二極管

21.發光材料

22. IMPATT二極管

23. IMPATT二極管操作

24.半導體激光器

25.半導體激光器 - 正向偏向

26.異質結激光器操作

27.金屬半導體場效應晶體管（MESFET）

28. MESFET-高電子遷移率晶體管（HEMT）

29.金屬絕緣體半導體FET（MISFET）

30. MISFET在不同的運行條件下

31.理想的MOS電容器

32. MOSFET：實際表面的影響

33. MOSFET：接口電荷

34. MOSFET：閾值電壓

35. MOS電容電壓分析

36. MOSFET：與時間有關的電容測量

37. MOS柵氧化層的電流 - 電壓特性

38. MOSFET

39. MOSFET：輸出特性

40. MOSFET的電導和跨導

41. MOSFET：傳輸特性

42. MOSFET：移動模型

43. MOSFET：有效橫向場

44.短溝道MOSFET l-V特性

45. MOSFET：控制閾值電壓

46. MOSFET：通過離子注入調節閾值

47. MOSFET：襯底偏置效應

48. MOSFET：亞閾值特性

49. MOSFET的等效電路

50. MOSFET縮放和短溝道效應

51. MOSFET：熱載流子效應

52. MOSFET：漏極引起的勢壘降低

53. MOSFET的短溝道效應和窄寬度效應

54.柵極引起MOSFET漏極洩漏

55. BJT運營的基本原則

56. BJT：晶體管中空穴和電子流動的總結

57. BJT操作的基本原則：PN結

58.與BJTS的放大

59.平衡條件：接觸電位

60.均衡費米水平

61.交界處的空間費用

62.光學吸收

63.光學吸收實驗

64. LUMINESCENCE

65.光致發光

電子設備或微電子器件和電路是各大學的電子，電氣和計算機科學工程教育課程和技術學位課程的一部分。