Semiconductor Device

電子デバイス、回路、ダイオード、トランジスタ＆ジャンクションは、簡単に説明しました

*半導体装置は、電子回路は、良好な導電体でも良い絶縁体でもない材料で構成されています。

*半導体デバイスは、シリコン、ゲルマニウム、及び砒化ガリウム、並びに有機半導体などのような半導体材料の電子的特性を利用する電子部品が、何もありません。

重要な用語

Oの半導体

Oダイオード

Oトランジスタ

Oバイポーラ接合トランジスタ

Oベース

Oのコレクター

Oエミッタ

O集積回路

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アプリで取り上げるトピックは以下のとおりです。

1.ヘインズ・ショックレー実験

2.半導体材料

3.結晶格子

4.立方格子

5.飛行機と方向

6.ダイヤモンド格子

7.バルク結晶成長

単結晶インゴットの成長8.

9.ウエハース

10.エピタキシャル成長

11.気相エピタキシ

12.分子線エピタキシー

半導体13.チャージキャリア

14.有効質量

15.材料固有

16.外因性物質

量子井戸内の17の電子と正孔

18.フェルミレベル

19.補償と空間電荷中立性

20.ドリフトと抵抗

21.光吸収

22.フォトルミネッセンス

23.エレクトロルミネッセンス

24.キャリア寿命と光伝導

電子と正孔の25直接再結合

26.間接的組換え;トラッピング

27.定常状態のキャリア世代。準フェルミレベル

28.光伝導デバイス

29.拡散予測

キャリアの30拡散とドリフト：内蔵フィールド

31.拡散と再結合。連続式

32.定常キャリア注入：拡散長

準フェルミレベルで33グラデーション

キャリア濃度の34温度依存性

35.温度の影響とモビリティにドーピング

36強磁場効果

37.ホール効果

pn接合の38の製造：熱酸化

P-N接合の39普及

40.急速熱処理

41.イオン注入

42.化学気相成長（CVD）

43.フォトリソグラフィー

44.エッチング

45.メタライゼーション

46.平衡条件

47.平衡フェルミ準位

ジャンクションで48空間電荷

49.前方および逆バイアス接合

50.キャリア注入

51.逆バイアス

52逆バイアスブレークダウン

53.ツェナー降伏

54.アバランシェ降伏

55.整流器

56内訳ダイオード

57.過渡及びA-Cの条件

58.逆回復過渡

59.理想ダイオードモデル

キャリア注入の接触電位の影響60

61スイッチングダイオード

pn接合の62容量

移行地域で63組換えおよび生成

64オーム損

65.グレーデッドジャンクション

66.金属半導体接合：ショットキー接合

67.現在の輸送過程

68.熱電子放出理論

69拡散理論

70.熱電子エミッション拡散理論

71整流コンタクト

72.トンネル電流

73.少数キャリア注入

74. MISトンネルダイオード

障壁高さの75測定

76.アクティベーション・エネルギー測定

77.光電測定

78オーム接点

各トピックには、図、数式とより良い学習と迅速な理解のためのグラフィカルな表現の他の形態と完了です。

半導体デバイスは、工学教育コースと様々な大学の技術の学位プログラムの一部です。