Semiconductor Device & Circuit

電気および電子工学の学生向けの半導体デバイスおよび回路ノート。

このSemiconductorDevices＆Circuitsアプリは、試験や面接時の迅速な学習、改訂、参照用に設計されています。

この半導体デバイスアプリには、詳細なメモ、図、方程式、式、コース資料を含む160のトピックがあり、トピックは5つの章にリストされています。このアプリは、すべての基礎工学の学生が持っている必要があります。

半導体デバイスは、シリコン、ゲルマニウム、ガリウムヒ素などの半導体材料や有機半導体の電子特性を利用した電子部品に他なりません。

このアプリは、関連するトピックのほとんどと、すべての基本的なトピックを含む詳細な説明をカバーしています。

EngineeringeBookで取り上げられているトピックの一部は次のとおりです。

1.ヘインズ-ショックリー実験

2.半導体材料

3.クリスタルラティス

4.キュービックラティス

5.平面と方向

6.ダイヤモンドラティス

7.バルク結晶成長

8.単結晶インゴットの成長

9.ウェーハ

10.エピタキシャル成長

11.気相エピタキシー

12.分子線エピタキシー

13.半導体の電荷キャリア

14.有効質量

15.固有の資料

16.外因性材料

17.量子井戸の電子と正孔

18.フェルミ準位

19.補償と空間電荷の中立性

20.ドリフトとレジスタンス

21.吸光度

22.フォトルミネッセンス

23.エレクトロルミネッセンス

24.キャリアの寿命と光伝導

25.電子と正孔の直接再結合

26.間接的な組換え;トラッピング

27.定常状態のキャリア生成。擬フェルミ準位

28.光伝導デバイス

29.拡散プロセス

30.キャリアの拡散とドリフト：ビルトインフィールド

31.拡散と組換え;連続の方程式

32.定常状態のキャリア注入：拡散長

33.擬フェルミ準位の勾配

34.キャリア濃度の温度依存性

35.移動度に対する温度とドーピングの影響

36.高電界効果

37.ホール効果

38. p-n接合の製造：熱酸化

39.P-N接合の拡散

40.ラピッドサーマルプロセッシング

41.イオン注入

42.化学蒸着（CVD）

43.フォトリソグラフィー

44.エッチング

45.メタライゼーション

46.平衡条件

47.平衡フェルミ準位

48.ジャンクションでの空間電荷

49.順方向および逆方向にバイアスされたジャンクション

50.キャリア注入

51.逆バイアス

52.逆バイアスの内訳

53.ツェナーの内訳

54.アバランシェブレークダウン

55.整流器

56.ブレークダウンダイオード

57.一時的およびA-C条件

58.リバースリカバリートランジェント

59.理想的なダイオードモデル

60.キャリア注入に対する接触ポテンシャルの影響

61.スイッチングダイオード

62.p-n接合の静電容量

63.移行領域での組換えと生成

64.オーミックロス

65.段階的ジャンクション

66.金属半導体接合：ショットキー障壁

67.現在の輸送プロセス

68.熱電子放出理論

69.拡散理論

70.熱電子放出拡散理論

71.連絡先の修正

72.トンネリング電流

73.マイノリティ-キャリア注入

74.MISトンネルダイオード

75.バリア高さの測定

76.活性化エネルギー測定

77.光電測定

78.オーミックコンタクト

文字制限のため、すべてのトピックがリストされているわけではありません。

各トピックには、より良い学習と迅速な理解のために、図、方程式、およびその他の形式のグラフィック表現が含まれています。

特徴 ：

*章ごとの完全なトピック

*リッチなUIレイアウト

*快適な読み取りモード

*重要な試験トピック

*非常にシンプルなユーザーインターフェイス

*トピックのほとんどをカバー

*ワンクリックで関連するすべての本を入手

*モバイル向けに最適化されたコンテンツ

*モバイル向けに最適化された画像

このアプリはクイックリファレンスに役立ちます。このアプリを使えば、数時間以内にすべてのコンセプトの改訂を終えることができます。

私たちに低い評価を与える代わりに、あなたの質問、問題を私たちにメールしてください、そして私たちに貴重な評価と提案を与えてください。そうすれば私たちは将来のアップデートのためにそれを考慮することができます。私たちはあなたのためにそれらを解決させていただきます。