Basics of VLSI Design Pro

完整的VLSI手册，带图表和图形

该应用程序是VLSI的完整手册，带有图表和图形。它是电子和通信工程教育的一部分，它带来了关于这一主题的重要主题，笔记，新闻和博客。下载该应用程序作为该电子和通信工程主题的快速参考指南和电子书。

该应用程序详细介绍了超过90个VLSI设计主题。这些主题分为5个单元。

您可以非常轻松地通过考试或面试并取得成功，该应用程序提供快速修订和参考主题，如详细的闪存卡。

每个主题都包含图表，方程式和其他形式的图形表示，以便于理解。本申请中涵盖的一些主题是：

1.半导体存储器：介绍和类型

2.只读存储器（ROM）

3.三晶体管DRAM单元

4.一个晶体管DRAM单元

5.闪存

6.低功耗CMOS逻辑电路：简介

7. CMOS逆变器的设计

8. MOS逆变器：介绍开关特性

9.基于扫描的技术

10.内置自测（BIST）技术

11. VLSI设计的历史前景：摩尔定律

12. CMOS数字电路类型的分类

13.电路设计实例

14. VLSI设计方法

15. VLSI设计流程

16.设计层次结构

17.规律性，模块性和地方性的概念

18. CMOS制造

19.制造工艺流程：基本步骤

20.制造nMOS晶体管

21. CMOS制造：p阱工艺

22.CMOS制造：n阱工艺

23. CMOS制造：双浴缸工艺

24.简图和掩模布局设计

25. MOS晶体管：物理结构

26.外部偏见下的MOS系统

27. MOSFET的结构和操作

28.阈值电压

29. MOSFET的电流电压特性

30. Mosfet缩放

31.缩放的影响

32.小几何效果

33. MOS容量

34. MOS逆变器

35. MOS逆变器的电压传输特性（VTC）

36.具有n型MOSFET负载的逆变器

37.电阻负载逆变器

38.耗尽负载逆变器的设计

39. CMOS逆变器

40.延迟时间定义

41.延迟时间的计算

42.具有延迟约束的逆变器设计：示例

43.组合MOS逻辑电路：介绍

44.具有耗尽nMOS负载的MOS逻辑电路：双输入NOR门

45.具有耗尽nMOS负载的MOS逻辑电路：具有多个输入的通用NOR结构

46.具有耗尽nMOS负载的MOS逻辑电路：NOR门的瞬态分析

47.具有耗尽nMOS负载的MOS逻辑电路：双输入与非门

48.具有耗尽nMOS负载的MOS逻辑电路：具有多个输入的通用NAND结构

49.具有耗尽nMOS负载的MOS逻辑电路：与非门的瞬态分析

50. CMOS逻辑电路：NOR2（双输入NOR）门

51. CMOS NAND2（双输入NAND）门

52.简单CMOS逻辑门的布局

53.复杂逻辑电路

54.复杂的CMOS逻辑门

55.复杂CMOS逻辑门的布局

56. AOI和OAI盖茨

57.伪nMOS门

58. CMOS全加器电路和进位纹波加法器

59. CMOS传输门（传输门）

60.互补传输晶体管逻辑（CPL）

61.顺序MOS逻辑电路：简介

62.双稳态元素的行为

63. SR锁存电路

64.时钟SR锁存器

65. Clocked JK Latch

66. Master-Slave Flip-Flop

67. CMOS D锁存器和边沿触发器触发器

68.动态逻辑电路：简介

69.传输晶体管电路的基本原理

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